Оперативная память для ноутбуков
Тип памяти DDR4
Чип SAMSUNG SEC
Форм-фактор SODIMM 260-контактный
Тактовая частота 3200 МГц
Пропускная способность памяти 25600 МБ/с
Тайминги CAS Latency (CL): 22
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Row Active Time (tRAS): 52
Поддержка ECC Нет
Буферизованная (Registered) Нет
Низкопрофильная (Low Profile) Нет
Напряжение питания 1,2 В